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CSD19536KTTT  与  IPB025N08N3 G  区别

型号 CSD19536KTTT IPB025N08N3 G
唯样编号 A-CSD19536KTTT A-IPB025N08N3 G
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5mΩ
上升时间 - 73ns
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 86ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DDPAK/TO-263-3 PG-TO263-3
连续漏极电流Id - 120A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 10mm
下降时间 - 33ns
典型接通延迟时间 - 28ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD19536KTTT TI  数据手册 功率MOSFET

DDPAK/TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB025N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB025N08N3GATMA1_PG-TO263-3 80V 120A 2.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 1,000 对比
CSD19536KTT TI  数据手册 功率MOSFET

DDPAK/TO-263-3

暂无价格 44 对比
IPB025N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB025N08N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB020N10N5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB020N10N5_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
CSD19536KTT TI  数据手册 功率MOSFET

DDPAK/TO-263-3

暂无价格 0 对比

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